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太阳能路灯YL010
产品概况
P-N结能带与接触电势差: 在热平衡条件下,结区有统一的E F ;在远离结区的部位,E C 、E F 、E 之间的关系与结形成前状态相同。 从能带图看,N型、P型半导体单独存在时,E FN 与E FP
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产品先容
P-N结能带与接触电势差:
    在热平衡条件下,结区有统一的EF;在远离结区的部位,EC、EF、Eν之间的关系与结形成前状态相同。
    从能带图看,N型、P型半导体单独存在时,EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时,电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动,空穴流动的方向相反。同时产生内建电场,内建电场方向为从N区指向P区。在内建电场作用下,EFN将连同整个N区能带一起下移,EFP将连同整个P区能带一起上移,直至将费米能级拉平为EFN=EFP,载流子停止流动为止。在结区这时导带与价带则发生相应的弯曲,形成势垒。势垒高度等于N型、P型半导体单独存在时费米能级之差:
qUD=EFN-EFP

UD=(EFN-EFP)/q
q:电子电量
UD:接触电势差或内建电势
对于在耗尽区以外的状态:
UD=(KT/q)ln(NAND/ni2)
NA、ND、ni:受主、施主、本征载流子浓度。
可见UD与掺杂浓度有关。在一定温度下,P-N结两边掺杂浓度越高,UD越大。
禁带宽的材料,ni较小,故UD也大。
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